Флэш память на основе графена и молибденита

Учёные из EPFL (Федеральная политехническая школа Лозанны) создали прототип памяти, которая может иметь большой потенциал.

Благодаря комбинации двух материалов в выдающимися электрическими свойствами — графена и молибденита, им удалось создать уникальную двухмерную гетерогенную структуру, способную запоминать информацию.
Основой памяти, так же как и электродов, является высокопроводящий графен. Прослойка из молибденита позволяет быстро переключать состояния памяти, затрачивая при этом минимум энергии.
Такая гибридная основа в теории позволяет создавать гораздо более быстрые и энергоэффективные ячейки памяти, нежели современные кремниевые аналоги. Кроме того, эти материалы делают возможным создание сверхтонких структур, что делает их более подходящими для создания гибкой электроники.