Коротко о новом: Samsung запускает производство 3-битной MLC NAND памяти емкостью 128 Гбит на основе 10-нм техпроцесса

Samsung Electronics объявила о начале массового производства 3-битных MLC NAND чипов памяти емкостью 128 Гбит с использованием 10-нанометрового технологического процесса уже в апреле этого года. Высокоразвитый чип позволит эффективно внедрять память высокой плотности в такие решения, как встраиваемые NAND-хранилища и твердотельные SSD-накопители. Новая NAND флэш память на 128 ГБ может похвастаться высоким уровнем производительности — скорость передачи данных составляет 400 МБ/с, а также поддержкой интерфейса Toggle DDR 2.0.

Благодаря новой разработке Samsung планирует расширять поставки фирменных карт памяти на 128 ГБ. Помимо этого, компания намерена наращивать производство твердотельных накопителей объемом более 500 ГБ, что должно ускорить процесс широкого внедрения твердотельных накопителей в компьютерные системы, а также позволит Samsung встать во главе процесса перехода с жестких дисков на твердотельные на рынке ноутбуков.

Спрос на высокопроизводительную 3-бит MLC NAND флэш-память емкостью 128 ГБ, равно как и на SSD-накопители объемом более 250 ГБ неизменно растет. В частности, очень востребованной за последние полгода стала серия Samsung SSD 840.

Samsung начала производство MLC NAND флэш-памяти на 64 Гбит 10-нм класса в ноябре прошлого года. Всего лишь пять месяцев спустя компания предлагает готовые чипы на 128 Гбит, которые еще больше расширяют ее линейку памяти высокой плотности. Новинка удвоит производительность более, чем в два раза по сравнению с 20-нм MLC NAND чипами на 64 Гбит, представленными еще в 2010 году.