Samsung Electronics объявила о своих успехах в разработке первого промышленного энергоэффективного 8-гигабитного модуля мобильной DRAM-памяти, соответствующего стандарту LPDDR4.

Новая память производится на базе тех. процесса 20-нм класса и несет по одному гигабайту на кристалле, что является самым высоким показателем плотности для DRAM-компонентов на сегодняшнем рынке.

Благодаря новому интерфейсу ввода/вывода LVSTL (Low Voltage Swing Terminated Logic), чип LPDDR4 обеспечивает скорость передачи данных 3200 Мбит/сек на контакт, что в два раза быстрее показателей LPDDR3 DRAM-памяти предыдущего поколения. Помимо этого, новый интерфейс LPDDR4 обеспечит на 50% более высокую производительность, чем любые образцы памяти LPDDR3 или DDR3. При всем этом энергопотребление новой памяти снизилось примерно на 40% при напряжении 1,1 вольт.

Несомненно, своим новым чипом Samsung будет оснащать премиум-модели нового поколения смартфонов, планшетов и ультратонких ноутбуков в 2014 году.