Коротко о новом: Samsung начинает массовое производство чипов мобильной памяти DDR3 плотностью 4 Гбит

Вчера Samsung объявила о старте массового производства 20-нанометровых чипов памяти DDR3 плотностью 4 Гбит. Выпуск этой DRAM-памяти, каждая ячейка которой состоит из связанных транзистора и конденсатора, намного сложнее производства флэш-памяти типа NAND с одним транзистором, поэтому традиционно объемы DRAM-чипов заметно уступают объемам чипов флэш-памяти.

Чтобы справиться с этой непростой задачей, специалисты Samsung объединили модифицированную технологию экспонирования с двойным шаблоном и технологию атомно-слоевого осаждения. Это не только позволило компании выпускать чипы памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу, используя существующую иммерсионную ArF-литографию (литографию с использованием эксимерных лазеров на фториде аргона, работающих в диапазоне жесткого ультрафиолета), но и сделает возможным производство следующего поколения DRAM по техпроцессу класса 10 нм в ближайшем будущем.

Кроме того, Samsung добилась беспрецедентной однородности нанесения сверхтонких диэлектрических слоев конденсаторов, что дополнительно улучшило эффективность памяти. Одновременно компании удалось повысить эффективность производства: для новых чипов она на 30% выше, чем для DDR3 по 25-нм техпроцессу, и вдвое больше по сравнению с DDR3 по 30-нм техпроцессу. Показатели энергоэффективности чипов на 25% опережают характеристики мобильной памяти, изготовленной по 25-нм техпроцессу. Это достижение станет основой для разработки новейших «зеленых» IT-решений для мировых компаний.

Согласно исследованиям компании Gartner, мировой рынок мобильной памяти увеличится с 35,6 млрд. долларов США в 2013 году до 37,9 млрд. долларов США в 2014 году.