Intel и Micron Technology официально представили новую технологию энергонезависимой памяти 3D XPoint, которая совершит переворот на рынке вычислительных устройств. 3D XPoint способна увеличить (до 1300 раз) скорость работы устройств различного типа, приложений и сервисов, которым необходим быстрый доступ к большим объемам данным. Впервые за 26 лет память 3D XPoint позволяет создать принципиально новую категорию устройств для хранения данных, сменив технологию NAND.
Эта технология до 1.000 раз быстрее и имеет до 1.000 раз более длительный срок службы по сравнению с памятью NAND. Кроме того, она имеет в 10 раз более высокую плотность размещения компонентов по сравнению с DRAM памятью.
Особенности технологии 3D XPoint:
Крестообразная структура:
Перпендикулярные проводники объединяют 128 млрд ячеек памяти. Каждая ячейка памяти хранит 1 бит данных. Это позволяет добиться высокой скорости работы и высокой плотности.
Многослойность:
Помимо расположения в крестообразной структуре, ячейки памяти размещаются в несколько слоев. Изначальная технология позволяет хранить 128 ГБ на один кристалл для двух слоев памяти. Будущие поколения технологии позволят увеличить количество слоев для масштабирования емкости.
Использование селектора:
DRAM память использует тразистор в каждой ячейке памяти, что делает ее большой и дорогой. Доступ и чтение или запись в ячейках памяти 3D XPoint осуществляются путем изменения значения напряжения, направляемого на каждый селектор. Это позволяет отказаться от необходимости использования транзисторов, что увеличивает емкость и снижает стоимость.
Быстродействующие ячейки:
Благодаря небольшому размеру ячеек, быстродействующим селекторам, низкой задержке и быстрой записи, ячейки могут переключать состояния быстрее, чем любая другая технология энергонезависимой памяти.
Технология 3D XPoint объединяет в себе все преимущества технологий производства памяти, доступных на рынке. Она отличается высокой производительностью и плотностью размещения компонентов, низким энергопотреблением и доступной ценой.
Значение задержки жестких дисков и памяти NAND измеряется в микросекундах, а памяти 3D XPoint — в наносекундах (одна миллиардная доля секунды).
Преимущества высокой скорости 3D XPoint смогут повысить комфорт и обычных пользователей при работе с ПК.
Те кто знает, какого это ждать 15 часов пока Autodesk Maya кэширует файл размер в 400 Гб, оценят новый вид энергонезависимой памяти 3D XPoint, способной работать в 1000 раз быстрее обычных SSD с NAND памятью.
Плотность ячеек 3D XPoint в 10 раз больше современных DRAM, что позволит делать модули памяти в десятки раз меньшего размера, либо наращивать количество памяти на той же площади модуля, благодаря бестранзитерной структуре, над которой в течении последних 10 лет работали в Intel.
Также, в Intel полагают, что новый вид памяти, сделает прорыв в области распознавания паттернов различных нейро сетей, в области хранения и обработки огромного количества данных, в области геномики, и других областях
«Одной из наиболее важных проблем в мире современных вычислительных технологий является длительное время, которое требуется процессору для доступа к данным в системе хранения, — сказал Марк Адамс, президент компании Micron. — Новый класс энергонезависимой памяти представляет собой революционную технологию, которая обеспечивает быстрый доступ к большим объемам данных и позволяет создать принципиально новые области применения»
Архитектура
Инновационная бестранзистерная архитектура создает трехмерную перекрестную структуру, на которой ячейки памяти размещаются на пересечении числовых линий и разрядных линий, что позволяет в независимом порядке выполнять адресацию. В результате, данные могут записываться и считываться небольшими размерами, что приводит к более быстрому и эффективному процессу чтения/записи.
Пробные поставки продукции на базе технологии 3D XPoint для отдельных заказчиков начнутся уже в этом году. Кроме того, Intel и Micron разрабатывают собственную продукцию на базе этой технологии.
Презентация технологии памяти 3D XPoint
ссылка на оригинал статьи http://geektimes.ru/post/259576/
Добавить комментарий