Инженера Samsung приговорили к семи годам тюрьмы за передачу технологии производства DRAM китайской компании CXMT

Южнокорейский суд приговорил бывшего инженера Samsung к семи годам тюремного заключения по делу об утечке технологии производства 10-нанометровой памяти DRAM. Сотрудник передал производственные данные китайской корпорации ChangXin Memory Technologies.

По версии следствия, 56-летний инженер по фамилии Чон передал представителям CXMT более 600 подробных этапов производства DRAM. Информацию передавали через рукописные заметки, что позволило обойти цифровую систему контроля утечек данных. Всего за несколько лет Чон получил от CXMT около 2,9 млрд вон (~2 млн долларов).

Источники сообщают, что Samsung потратила примерно 1,6 трлн вон (~1,2 млрд долларов) на разработку технологии. Суд признал, что Чон своими действиями нанёс ущерб не только частной технологической компании, но и всей полупроводниковой сфере Южной Кореи. DRAM — одно из ключевых экспортных направлений страны. Технологии Samsung напрямую влияют на позиции страны на мировом рынке.

Суд признал инженера виновным в нарушении южнокорейского закона о защите промышленных технологий. Переданные данные квалифицировали как «национальную ключевую технологию». Чон получил наказание в виде лишения свободы на семь лет.

ChangXin Memory Technologies (CXMT) — китайский производитель DRAM, который входит в список стратегических организаций, работающих над снижением зависимости Китая от зарубежных технологий. Полученные данные позволили CXMT стать первым в Китае производителем DRAM 10-нанометрового уровня.